RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
104
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
59
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
1954
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology H641GU67G1600G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link