RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
104
Autour de -76% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
59
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
1954
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link