RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
33
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2941
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link