RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2481
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link