RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
14.3
Скорость записи, Гб/сек
10.9
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2481
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link