RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En -19% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
26
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
1813
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link