RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
38
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
38
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
3206
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link