RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
34
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
34
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2665
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link