RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
34
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.0
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
10.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2665
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link