RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
31
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2762
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link