RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2618
3285
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link