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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
41
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2434
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
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