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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
41
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
9.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
2434
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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