RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Compara
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En -6% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2405
2235
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link