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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Compara
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En -6% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2405
2235
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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