RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
40
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3131
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link