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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Compara
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2405
2713
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
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