RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Compara
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2405
2055
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link