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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
38
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
38
Velocità di lettura, GB/s
15.5
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2405
2055
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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