RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Compara
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
53
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
53
Velocidad de lectura, GB/s
14.5
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2513
2333
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link