RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
53
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
53
Prędkość odczytu, GB/s
14.5
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2513
2333
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link