RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2790
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link