RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3422
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link