RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
85
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
85
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
1118
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link