RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
85
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
85
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
1118
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link