RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
85
Wokół strony 72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
85
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1118
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link