RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
85
Около 72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
85
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1118
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link