RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
45
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2159
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link