RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2790
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link