RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Compara
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB vs Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Puntuación global
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
107
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
4.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
107
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
4.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
1022
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link