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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Compara
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
32
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.1
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2581
3851
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
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