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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
48
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2912
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
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