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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
8.9
14.3
写入速度,GB/s
5.9
11.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2912
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
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