RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Compara
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
75
En 59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
75
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.8
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2904
1763
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link