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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2549
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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