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G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
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G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
18
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
18.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.1
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
17
Velocidad de lectura, GB/s
18.9
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
14.3
18.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3427
3863
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
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