RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Compara
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
47
En 62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
47
Velocidad de lectura, GB/s
18.9
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3427
2308
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link