RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2729
1891
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link