RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
9.3
Скорость записи, Гб/сек
11.0
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2729
1891
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link