RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB против Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
6.9
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1647
2462
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link