RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB против Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
6.9
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1647
2462
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link