RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.9
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1647
2462
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link