RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Compara
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1647
2462
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link