RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
6.9
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1647
2925
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link