RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
71
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
71
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
14.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
1863
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link