Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    48 left arrow 71
    Por volta de 32% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.5 left arrow 8.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.0 left arrow 5.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 10600
    Por volta de 2.01 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    48 left arrow 71
  • Velocidade de leitura, GB/s
    8.9 left arrow 14.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    5.9 left arrow 8.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1420 left arrow 1863
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações