RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
71
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
71
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
1863
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kllisre 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link