Comparação RAM Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

24 43

Por volta de -79% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16 10.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.5 6.9

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 12800

Por volta de 1.5 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1647 2925

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns