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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Comparar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,072.7
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
75
Por volta de -213% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
11.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
2767
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
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Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
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