RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3899
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link