RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Compara
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
38
En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
38
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2729
2107
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link