RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
58
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
58
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2729
1998
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link