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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Puntuación global
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
86
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
86
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2729
1658
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
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